化合物半導體性能優(yōu)異，發(fā)展前景廣闊。化合物半導體主要指砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等第二、第三代半導體，相比第一代單質半導體，在高頻性能、高溫性能方面優(yōu)異很多。砷化鎵：具有高頻、抗輻射、耐高溫的特性，大規(guī)模應用于無線通訊領域，目前已經(jīng)成為PA和Switch的主流材料；氮化鎵：主要被應用于通訊基站、功率器件等領域，功放效率高、功率密度大，因而能節(jié)省大量電能，同時減少基站體積和質量；碳化硅：主要用于大功率高頻功率器件，IHS預測到2025年SiC功率半導體的市場規(guī)模有望達到30億美元，在未來的10年內，SiC器件將開始大范圍地應用于工業(yè)及電動汽車領域，近期碳化硅產(chǎn)業(yè)化進度開始加速，意法、英飛凌等中游廠商開始鎖定上游晶圓貨源。

5G提速，射頻市場有望高速成長。4月初，美、韓率先宣布5G商用，日本向四大運營商分配5G頻段，預計明年春正式商用。在海外5G積極推進商用的節(jié)奏下，全球5G推進提速預期強烈，從基站端到終端射頻需求都有望加速增長。在射頻器件領域，目前LDMOS、GaAs、GaN三者占比相差不大，預計到2025年，在砷化鎵市場份額基本維持不變的情況下，氮化鎵有望替代大部分LDMOS份額，占據(jù)射頻器件市場半壁江山。

汽車電氣化推動碳化硅市場快速成長。據(jù)IC insights預測，2021年汽車IC市場將會增長到436億美元，2017年到2021年之間的復合增長率為12.5%，為IC領域復合增長率最高的下游應用。同時，隨著汽車電氣化進程不斷推進，尤其是電動車等新能源汽車的逐漸普及，使汽車硅含量不斷提升，電動車以及由此帶動的各類基礎設施建設將成為碳化硅市場的主要驅動力。

建議關注：【三安光電】全工藝平臺布局，持續(xù)加碼化合物半導體，III-V族化合物半導體是三安光電下一個十年的核心成長驅動力；【CREE】碳化硅基氮化鎵龍頭，專利護城河全球第一，Wolfspeed持續(xù)高增長。

風險提示：下游需求不及預期、5G進展不及預期、汽車電氣化進展不及預期。